已知Si中只含施主杂质ND=1×1015cm-3。现在40K下测得电子浓度为...

问答题已知Si中只含施主杂质N_D=1×10¹⁵cm^-3。现在40K下测得电子浓度为1×10¹²cm^-3，试估算施主杂质的电离能。

1.问答题室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m^*_e=1.08m₀和m^*_h=0.59m₀；砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m^*_em₀和m^*_h=0.5m₀（m₀是自由电子质量）。在室温下，计算砷化钾的N_C，N_V和n_i（E_g=1.43eV）。

2.问答题室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m^*_e=1.08m₀和m^*_h=0.59m₀；砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m^*_em₀和m^*_h=0.5m₀（m₀是自由电子质量）。在室温下，计算硅的N_C，N_V和n_i（E_g=1.1eV）。

3.问答题已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10^-10。若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交迭时，掺有的杂质施主浓度应高于多少？

4.问答题已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10^-10。试用类氢模型求基态轨道的半径。

5.问答题已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m^*_e=0.015m₀（m₀是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10^-10。试用类氢模型求施主电离能。

6.问答题若锗在T=300K时，N_C=1.1×10¹⁹cm^-3，N_V=0.51×10¹⁹cm^-3，禁带宽度为E_g=0.67eV。计算在77K时的，N_C，N_V及本征载流子浓度（T=77K时，E_g=0.70eV）。

7.问答题若锗在T=300K时，N_C=1.1×10¹⁹cm^-3，N_V=0.51×10¹⁹cm^-3，禁带宽度为E_g=0.67eV。计算T=300K时的本征载流子浓度。

8.问答题若锗在T=300K时，N_C=1.1×10¹⁹cm^-3，N_V=0.51×10¹⁹cm^-3，禁带宽度为E_g=0.67eV。计算电子和空穴的有效质量m^*_e和m^*_h。

9.问答题定性解释P－N结的单向导电性。

10.问答题在导出P－N结的I－V特性时，全部偏压都降在结空间电荷区。试说明这一假设的合理性。