什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？其中哪一个影响最...

问答题什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？其中哪一个影响最主要？为什么？

1.问答题解释扩散系数及其物理含义，并说明影响扩散系数的主要因素是什么，及如何影响？

2.问答题说明杂质在晶圆中的扩散机制及主要特点，并各举一例。

3.问答题什么是扩散？并说明扩散的两个基本条件？按材料的形态划分，扩散有那几种基本形式？工艺中的高温扩散属于哪一种？

扩散，是一种材料通过另一种材料的运动。
扩散的两个必要条件：浓度差，过程所需要的能量。
固态，液态，气态扩散。
属于固态扩散。

4.问答题列出半导体制造中四种常见的杂质，并说明掺杂后相应的半导体硅的导电类型。

硼：P型；
磷，砷和锑：N型

5.问答题半导体工艺中是如何形成PN结的？什么是结深？

6.问答题掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。

7.问答题 根据下图给出的一氧化工艺的菜单实例，试说明：
（1）该工艺采用的氧化方法
（2）每一步骤的具体作用（或状态）
（3）氮气在整个工艺流程中的作用
（4）工艺过程中加入HCl的主要作用

8.问答题氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。

9.问答题什么是氧化层固定电荷？其产生的主要原因是什么？它对半导体器件的电学特性有何影响？工艺中可以用什么办法来解决？

10.问答题列出Si—SiO₂界面处的四种电荷，说明钠离子是属于哪一类电荷，以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题，工艺中如何解决这一问题？