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单项选择题

下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？（）

A.外延生长法
B.等离子CVD
C.常压CVD
D.RTP CVD

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多项选择题

利用CVD的方法制造多晶Si膜，常压CVD需要900℃，采用低压CVD可以（）。

A.加快沉积速度
B.少量降低温度
C.提高膜的均匀性
D.提高膜的稳定性
单项选择题

磁控溅射电磁场是如何分布的？（）

A.电场磁场相互平行，电场垂直于靶表面，磁场垂直于靶表面
B.电场磁场相互垂直，电场垂直于靶表面，磁场平行于靶表面
C.电场磁场相互垂直，电场平行于靶表面，磁场垂直于靶表面
D.电场磁场相互平行，电场平行于靶表面，磁场平行于靶表面
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