判断题二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外,还可以描述二极管的反向击穿特性。
您可能感兴趣的试卷
最新试题
PNP型晶体管中,N型区是()
题型:单项选择题
PNP型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
锗三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题
三极管的两个PN结都正偏时,三极管可能处于()状态。
题型:单项选择题
三极管正常工作时,几乎相等的两种电流是()
题型:单项选择题
当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏时,它呈现的主要特性是正向受控作用,此时的工作模式称为()模式。
题型:单项选择题
对于NPN型三极管,当VBE=0时,VBE<VCE,则该管的工作状态是()
题型:单项选择题
NPN型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
温度升高时,三极管的β值(),导通电压VBE(on)()
题型:单项选择题
PNP型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
题型:单项选择题