正向偏置的锗二极管电压大约为（）

单项选择题正向偏置的锗二极管电压大约为（）

A.0.7V
B.0.3V
C.0V

1.单项选择题正向偏置的硅二极管电压大约为（）

A.0.7V
B.0.3V
C.0V

2.单项选择题半导体二极管中有两种偏置，分别是（）

A.正、负
B.阻塞、非阻塞
C.开、闭
D.正向、反向

3.单项选择题半导体二极管中，PN结附近由正负离子组成的区域称为（）

A.中性区
B.复合区域
C.耗尽区
D.扩散区

4.单项选择题将杂质原子加入到纯净半导体材料的过程称为（）

A.复合
B.结晶
C.结合
D.掺杂

5.单项选择题自由电子存在于（）中。

A.价带
B.导带
C.最低的带
D.禁带

6.单项选择题半导体晶体里的原子由（）结合在一起。

A.金属键
B.亚原子粒子
C.共价键
D.价带

7.单项选择题当一个中性原子失去或得到一个价电子时，原子变成了（）

A.共价的
B.一种金属
C.一种晶体
D.一个离子

8.单项选择题MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

A.电流放大系数，大
B.电流放大系数，小
C.跨导，小
D.跨导，大

9.单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断

10.单项选择题N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

A.正，电子积累
B.负，电子积累
C.正，空穴反型层
D.正，电子反型层