单项选择题正向偏置的硅二极管电压大约为()
A.0.7V
B.0.3V
C.0V
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1.单项选择题半导体二极管中有两种偏置,分别是()
A.正、负
B.阻塞、非阻塞
C.开、闭
D.正向、反向
2.单项选择题半导体二极管中,PN结附近由正负离子组成的区域称为()
A.中性区
B.复合区域
C.耗尽区
D.扩散区
3.单项选择题将杂质原子加入到纯净半导体材料的过程称为()
A.复合
B.结晶
C.结合
D.掺杂
4.单项选择题自由电子存在于()中。
A.价带
B.导带
C.最低的带
D.禁带
5.单项选择题半导体晶体里的原子由()结合在一起。
A.金属键
B.亚原子粒子
C.共价键
D.价带
6.单项选择题当一个中性原子失去或得到一个价电子时,原子变成了()
A.共价的
B.一种金属
C.一种晶体
D.一个离子
7.单项选择题MOS晶体管的()可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力,其值越(),则表示这种控制能力也越强。
A.电流放大系数,大
B.电流放大系数,小
C.跨导,小
D.跨导,大
8.单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度()空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断
9.单项选择题N型硅衬底的MOS结构,当其栅极施加()偏压时,半导体表面附近会形成一层()层。
A.正,电子积累
B.负,电子积累
C.正,空穴反型层
D.正,电子反型层
10.单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有()
A.栅氧厚度
B.衬底浓度
C.源漏区的长度
D.有效表面态电荷
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负载线是一条描述()的曲线。
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