半导体本征吸收与本征光电导

问答题半导体本征吸收与本征光电导

本征吸收：半导体吸收光子能量大于带隙的光子，使电子直接跃迁到导带。
又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

1.问答题解释耿氏振荡现象，振荡频率取决于哪些参数？

耿氏振荡来源于半导体内的负微分电导，振荡频率决定于外加电压和器件的长度。

2.问答题解释多能谷散射如何影响材料的导电性。

多能谷之间有效质量不同导致迁移率不同，当电子从一能谷跃迁到另一能谷时，迁移率会减低，导致导电性降低。

3.问答题对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？

进行霍尔系数测量和回旋共振法测有效质量。

4.问答题电导有效质量和状态密度有效质量有何区别？它们与电子的纵向有效质量和横向有效质量的关系如何？

5.问答题说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

迁移率随温度的升高逐渐降低

6.问答题光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？

7.问答题如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。

8.问答题一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。

提高迁移率和和提高本征载流子浓度

9.问答题几种散射机制同时存在，总的散射几率？

总散射概率等于多种散射概率之和。

10.问答题平均自由程，平均自由时间，散射几率？