说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

问答题说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

迁移率随温度的升高逐渐降低

1.问答题光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？

2.问答题如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。

3.问答题一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。

提高迁移率和和提高本征载流子浓度

4.问答题几种散射机制同时存在，总的散射几率？

总散射概率等于多种散射概率之和。

5.问答题平均自由程，平均自由时间，散射几率？

6.问答题什么是声子？它对半导体材料的电导起什么作用？

7.问答题半导体的主要散射机制。

电离杂质散射；
晶格振动散射，包括声子波和光学波散射；
其他因素散射：等能谷散射，中性杂质散射，位错散射，合金散射，等。

8.问答题试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。

9.问答题半导体的简并化判据

10.问答题如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？

费米能级深入到导带或者价带中