金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，...

判断题金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）

1.判断题在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。（）

2.判断题光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

3.判断题干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）

4.判断题设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。（）

5.判断题光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）

6.判断题半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）

7.判断题离子源是产生离子的装置。（）

8.判断题液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）

9.判断题抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

10.判断题位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）