单项选择题以下各种结合键中，结合键能最小的是（）
A、离子键、共价键
B、金属键
C、分子键
D、化学键
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1.单项选择题以下各种结合键中，结合键能最大的是（）
A、离子键、共价键
B、金属键
C、分子键
D、化学键
2.单项选择题（）具有明显的方向性和饱和性。
A、金属键
B、共价键
C、离子键
D、化学键
3.单项选择题以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是（）
A.金属锗
B.透明环己烷
C.氧化硅
4.单项选择题由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。
A.大角度晶界和孪晶界
B.相界面
C.外表面
5.单项选择题开始发生再结晶的标志是（）
A.产生多变化
B.新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织
C.晶粒尺寸显著增大
6.单项选择题纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在（）位置首先发生再结晶形核。
A.小角度晶界
B.孪晶界
C.外表面
7.单项选择题再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直
8.单项选择题位错缠结的多边化发生在形变合金加热的（）阶段。
A.回复
B.再结晶
C.晶粒长大
9.单项选择题Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）
A.溶质原子再扩散到位错周围
B.位错增殖的结果
C.位错密度降低的结果
10.单项选择题已知Cu的Tm=1083摄氏度，则Cu的最低再结晶温度约为（）
A.200摄氏度
B.270摄氏度
C.350摄氏度
