填空题

单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si₃N₄作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si₃N₄时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）

答案：绒化；减反膜；10~25；介面态

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圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

答案：方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好；去胶；方向性好，刻蚀速率高；SiO₂、Al、Si₃N₄；多晶硅

干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。

答案：残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉