圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的...

填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

1.填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。

2.问答题实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？

1.反应产物是挥发性的；
2.选择比率高；
3.刻蚀速率快；
4.具有好的终点灵敏性；
5.有好的各向异性刻蚀速率。

3.填空题离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。例如：当作²⁸Si⁺注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。

4.填空题Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺

5.填空题为了降低台阶高度对金属互连线的影响，在沉积金属层前必须对圆片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉积的回流介质主要有：（）

6.填空题要实现金属互连线与Si的良好欧姆接触，还必须做（）处理。为了避免铝钉扎和电迁移现象，常用（）、（）合金和（）替代纯铝。铝合金化工艺的条件是：（）

7.填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10^-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。

8.填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度高于（）时可实现（）。

9.填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

10.填空题 免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入电荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。