肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电...

填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10^-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。

1.填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度高于（）时可实现（）。

2.填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

3.填空题 免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入电荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。

4.填空题闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。

5.填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。

6.填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。

7.填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

8.填空题前烘的目的是（）使胶膜中的溶剂只有初始浓度的（）。从而，使胶的（）性能稳定。对正胶，前烘过度会使非曝光区的胶（）；前烘不足，会使胶的感光度（），对比度（），线条边缘不陡直。所以，必须严格控制前烘的（）和（）。

9.填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）；曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。

10.填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。