光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（...

填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

1.填空题前烘的目的是（）使胶膜中的溶剂只有初始浓度的（）。从而，使胶的（）性能稳定。对正胶，前烘过度会使非曝光区的胶（）；前烘不足，会使胶的感光度（），对比度（），线条边缘不陡直。所以，必须严格控制前烘的（）和（）。

2.填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）；曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。

3.填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

4.填空题光学光刻机主要有（）等几种。非光学光刻机主要有（）。

5.填空题光刻工艺的主要工序有：（）组成。

6.填空题快速热处理设备（RTP）的主要热交换机制是（），常用热源是（）。RTP的主要优点是（）。

7.填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入计量为（）量级。

8.填空题浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。

9.填空题为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升，在高剂量、大束流离子注入时，可以采用（）扫描方式，在低剂量、小束流时一般用（）方式注入。

10.填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）