离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。例如：当作2...

填空题离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。例如：当作²⁸Si⁺注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。

1.填空题Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺

2.填空题为了降低台阶高度对金属互连线的影响，在沉积金属层前必须对圆片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉积的回流介质主要有：（）

3.填空题要实现金属互连线与Si的良好欧姆接触，还必须做（）处理。为了避免铝钉扎和电迁移现象，常用（）、（）合金和（）替代纯铝。铝合金化工艺的条件是：（）

4.填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10^-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。

5.填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度高于（）时可实现（）。

6.填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

7.填空题 免可控硅效应的方法从（）寄生管的总增益，以及消除寄生晶体管出发，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入电荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的产生。

8.填空题闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。

9.填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。

10.填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。