最新试题
光刻工艺对准误差包括()。
化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个?()
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查,是否有出现废品?()
光刻工艺的设备核心是()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
常压的硅外延方法有()。
进行光刻工艺前的清洗步骤是()。
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
进行沟槽填充常用的金属材料是()。