PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，...

填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

1.填空题PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

2.判断题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度大；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度小。

3.填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

4.填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

5.填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

6.填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

7.填空题在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。

8.名词解释MOSFET本征电容

9.名词解释耗尽层宽度W

P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

10.问答题微电子学的特点是什么？