下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）

光刻工艺的设备核心是（）。

掺杂后退火时间一般在（）。

厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

新的平坦化方法有哪几个？（）

掺杂后，退火的目的是（）。

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

芯片粘接的工艺过程包括（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）