当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

1.填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

2.填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

3.填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4.填空题在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。

5.名词解释MOSFET本征电容

6.名词解释耗尽层宽度W

P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

7.问答题微电子学的特点是什么？

8.名词解释HDL

9.名词解释MASK

10.名词解释ASIC