在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×10...

问答题在室温下，锗的有效态密度N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，计算77K时的N_c和N_V。

1.问答题在室温下，锗的有效态密度N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，试求锗的载流子有效质量m^*_n、m^*_p。

2.问答题计算硅在-78℃，27℃，300℃时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？

3.问答题当E-EF为1.5k₀T，4k₀T，10k₀T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。

4.问答题 计算能量在E=E_c到之间单位体积中的量子态数。

5.问答题 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m^*_p=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

6.问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m^*_n=0.015m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能，
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

7.问答题晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10²V/m，10⁷V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

8.问答题 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E_c（k）和价带极大值附近能量E_v（k）分别为：

（1）禁带宽度；
（2）导带底电子有效质量；
（3）价带顶电子有效质量；
（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

9.问答题以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

10.问答题简述效质量m*的引入意义