在理想导体表面上，电场强度的（）分量为零，磁感应强度的（）分量为零

单项选择题在理想导体表面上，电场强度的（）分量为零，磁感应强度的（）分量为零

A.切向；法向
B.法向；切向
C.法向；法向
D.切向；切向

1.单项选择题平行板电容器之间的电流属于（）

A.传导电流
B.位移电流
C.运流电流
D.线电流

2.单项选择题在分界面上电场强度的切向分量总是（）

A.不连续的
B.连续的
C.不确定的
D.等于零

3.单项选择题下面关于复数形式的麦克斯韦方程的描述，有错误的是：（）

A.电场强度的旋度不等于零
B.电位移矢量的散度不等于零
C.磁场强度的旋度不等于零
D.磁感应强度的散度不等于零

4.单项选择题选出错误的描述：（）

A.空间任意一点的能流密度由该点处的电场强度和磁场强度确定
B.若分界面上没有自由电荷，则电位移矢量的法向分量是连续的
C.在分界面上磁感应强度的法向分量是不连续的
D.理想导体内部不存在时变的电磁场

5.单项选择题在分界面上磁感应强度的法向分量总是（）

A.不连续的
B.连续的
C.不确定的
D.等于零

6.单项选择题根据亥姆霍兹定理，一个矢量位由它的（）唯一确定

A.旋度和散度
B.旋度和梯度
C.梯度和散度
D.旋度

7.单项选择题时变电场是（），静电场是（）

A.有旋场；有旋场
B.有旋场；无旋场
C.无旋场；无旋场
D.无旋场；有旋场

8.单项选择题关于麦克斯韦方程的描述错误的一项是：（）

A.适合任何介质
B.静态场方程是麦克斯韦方程的特例
C.麦克斯韦方程中的安培环路定律与静态场中的安培环路定律相同
D.只有代入本构方程，麦克斯韦方程才能求解

9.单项选择题在无限大介质平面上方有一点电荷，若求介质平面下方区域的场，其镜像电荷（）

A.在介质平面上方h处
B.在介质平面上方2h处
C.在介质平面下方2h处
D.在介质平面下方h处

10.单项选择题电位唯一性定理的含义是（）

A.即满足拉普拉斯方程或泊松方程，又满足边界条件的电位是唯一的
B.满足边界条件的电位是唯一的
C.满足拉普拉斯方程的电位是唯一的。
D.满足泊松方程的电位是唯一的