单项选择题关于PN结半导体探测器，下列说法正确的是（）。
A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加
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1.单项选择题关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是（）。
A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率
2.单项选择题下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键？（）
A.高的电阻率，短的载流子寿命
B.高的电阻率，长的载流子寿命
C.低的电阻率，长的载流子寿命
D.低的电阻率，短的载流子寿命
3.单项选择题掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的？（）
A.Li
B.B
C.P
D.Al
4.单项选择题与气体探测器相比，下列哪一项不是半导体探测器的优点？（）
A.能量分辨率好
B.对γ射线的探测效率高
C.结构紧凑
D.不易受射线损伤
5.单项选择题下列哪项不是闪烁探测器必备的构成部分？（）
A.光电倍增器件
B.组分恒定的气体环境
C.闪烁体
D.前置放大器
6.单项选择题闪烁探测器的特点不包括下面哪项？（）
A.探测效率高
B.时间特性好
C.用途广泛，闪烁体选择多
D.适合于测量带电粒子，不适合测量不带电粒子
7.单项选择题处于电流脉冲型工作状态的闪烁探测器，其输出脉冲幅度与下列哪个参数无关？（）
A.阳极收集的总电荷量
B.闪烁体的发光衰减时间常数
C.输出回路等效电容
D.输出回路等效电阻
8.单项选择题单晶闪烁谱仪中闪烁体的尺寸变大时，其峰总比和峰源效率将如何变化？（）
A.峰总比变大，峰源效率变大
B.峰总比变大，峰源效率变小
C.峰总比变小，峰源效率变大
D.峰总比变小，峰源效率变小
9.单项选择题某闪烁探测器的闪烁体发光衰减时间常数为0.68μs，输出回路的时间常数为10μs，每秒被闪烁体探测到的粒子数为10000个，则该探测器处于哪种工作状态？（）
A.电流型
B.累计型
C.电压脉冲型
D.电流脉冲型
10.单项选择题下列哪种因素对单晶闪烁谱仪的γ射线探测效率没有影响？（）
A.闪烁体的组成元素
B.闪烁体的密度
C.闪烁体的厚度
D.打拿极的倍增系数
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