p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

MOS管阈值电压的单位是eV。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。