问答题为什么从70年代初就对GaN开展了研究工作但一直进展缓慢?
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
题型:填空题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
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实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题