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问答题由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？

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1.问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

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9.问答题讨论CZ法中影响单晶径向电阻率均匀性的因素及其控制办法。

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10.问答题讨论CZ法中影响单晶纵向电阻率均匀性的因素及其控制办法。

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