用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。_考试资料网

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问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

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1.问答题详述影响硅外延生长速率的因素。

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2.问答题 要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为C_m=1017cm^-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？

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3.问答题 每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

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4.问答题简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。

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5.问答题解释组分过冷并推导组分过冷产生的条件，讨论出现组分过冷时平坦界面上的干扰如何发展成胞状界面及枝蔓生长。

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6.问答题分析产生杂质条纹的根本原因，说明对于非平坦界面，由于晶转轴与热转轴不重合带来的杂质条纹的形状。

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7.问答题说明不同的固液生长界面形状（凸、凹、平）对电阻率径向分布的影响。

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8.问答题讨论CZ法中影响单晶径向电阻率均匀性的因素及其控制办法。

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9.问答题讨论CZ法中影响单晶纵向电阻率均匀性的因素及其控制办法。

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10.问答题简述CZ法中杂质掺入办法及其选择依据。

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