最新试题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题