处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。