作为间接帯隙材料GaP为什么能成为可见光LED的主要材料？

问答题作为间接帯隙材料GaP为什么能成为可见光LED的主要材料？

1.问答题从能带结构特点比较Si和GaAs在应用上的不同。

2.问答题 计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？

3.问答题确定在1200℃时，由SiCl₄源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h_G=5cm/s，表面反应速率常数为K_S=10⁷exp（-1.9eV/kT）cm/s，C_G=5*10¹⁶cm^-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

4.问答题为什么使用外延生长难以得到突变结？

5.问答题由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？

6.问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

7.问答题详述影响硅外延生长速率的因素。

8.问答题 要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为C_m=1017cm^-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？

9.问答题 每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

10.问答题简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。