确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转...

问答题确定在1200℃时，由SiCl₄源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h_G=5cm/s，表面反应速率常数为K_S=10⁷exp（-1.9eV/kT）cm/s，C_G=5*10¹⁶cm^-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

1.问答题为什么使用外延生长难以得到突变结？

2.问答题由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？

3.问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

4.问答题详述影响硅外延生长速率的因素。

5.问答题 要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为C_m=1017cm^-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？

6.问答题 每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

7.问答题简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。

8.问答题解释组分过冷并推导组分过冷产生的条件，讨论出现组分过冷时平坦界面上的干扰如何发展成胞状界面及枝蔓生长。

9.问答题分析产生杂质条纹的根本原因，说明对于非平坦界面，由于晶转轴与热转轴不重合带来的杂质条纹的形状。

10.问答题说明不同的固液生长界面形状（凸、凹、平）对电阻率径向分布的影响。