问答题GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些?
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氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
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P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
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MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
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1947年,()等人制造了第一个晶体管。
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N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
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MOS管阈值电压的单位是eV。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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半导体的主要特征有()()()和()。
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