依据相图，LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。

问答题 依据相图，LPE生长GaAs时说明如何从A点开始外延生长。

1.问答题GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些？

2.问答题 详细说明三温区横拉法中温度选择的依据。

3.问答题作为间接帯隙材料GaP为什么能成为可见光LED的主要材料？

4.问答题从能带结构特点比较Si和GaAs在应用上的不同。

5.问答题 计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？

6.问答题确定在1200℃时，由SiCl₄源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是h_G=5cm/s，表面反应速率常数为K_S=10⁷exp（-1.9eV/kT）cm/s，C_G=5*10¹⁶cm^-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

7.问答题为什么使用外延生长难以得到突变结？

8.问答题由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl₄为原料的硅外延为什么随SiCl₄浓度的增加会出现负的生长速率？

9.问答题用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

10.问答题详述影响硅外延生长速率的因素。