氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%,即意味着每生长1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗。 920A
最新试题
自由电子带负电,空穴带正电。
普通二极管是由PN 结引出电极封装而成的。
淀积扩散主要受哪些因素的控制?
二极管存在最高工作频率是因为PN 结有电容效应。
理想二极管模型在直流电路分析中误差很大,因此不能使用。
什么是扩散的相互作用?试举一例说明其对半导体器件的制造有何影响及其产生的原因。
列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。
试说明横向扩散以及横向扩散的主要影响。
漂移运动方向是从N 区到P 区。
二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。