NMOS和PMOS
栅长、栅宽、栅指数
对MESFET的控制主要作用于栅极下面的区域
双极型(BJT)集成电路,单极型(MOS)集成电路,Bi-CMOS型集成电路。
40GHz
单位面积芯片上所能容纳的器件数量,每12-18个月翻一番。
刻蚀即光刻腐蚀,就是通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其他方式实现腐蚀以处理掉所需除去的部分。
切片决定了硅片的四个重要参数:晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。