切片可决定晶片的哪四个参数？

问答题切片可决定晶片的哪四个参数？

切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。

1.问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？

包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。

2.问答题小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？

小尺寸MOS器件中的二级效应包括：短沟道效应；窄沟道效应；饱和区沟道长度调制效应；迁移率退化和速度饱和；热电子效应。

3.问答题连线寄生效应对集成电路性能的影响。

4.问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？

5.问答题形成SOI材料的主要技术有哪些？

注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。

6.问答题输入缓冲器的作用是什么？

作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。

7.问答题N+埋层的作用是什么？

减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生PNP管效应。

8.问答题NMOS晶体管可分为哪种类型？

增强型NMOS和耗尽型NMOS。

9.问答题集成电路的加工过程的基本操作是什么？

形成某种材料的薄膜；在各种材料的薄膜上形成需要的图形；通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。

10.问答题PN结隔离SBC结构工艺流程是什么？