MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪...

问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？

1.问答题形成SOI材料的主要技术有哪些？

注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。

2.问答题输入缓冲器的作用是什么？

作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。

3.问答题N+埋层的作用是什么？

减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生PNP管效应。

4.问答题NMOS晶体管可分为哪种类型？

增强型NMOS和耗尽型NMOS。

5.问答题集成电路的加工过程的基本操作是什么？

形成某种材料的薄膜；在各种材料的薄膜上形成需要的图形；通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。

6.问答题PN结隔离SBC结构工艺流程是什么？

衬底材料制备；埋层的形成；N型外延层的形成；隔离区的形成；晶体管基区的形成；晶体管发射区和引线孔的形成；金属化的形成。

7.问答题常用掺杂方法是什么？

扩散和离子注入。

8.问答题随机存取存储器RAM的种类有哪些？

动态随机存取存储、器和静态随机存取存储器。

9.问答题制作硅栅具体步骤是什么？

生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD工艺淀积多晶硅、多晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。

10.问答题怎样才能使电路正常工作？

时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。