制作硅栅具体步骤是什么？

问答题制作硅栅具体步骤是什么？

生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD工艺淀积多晶硅、多晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。

1.问答题怎样才能使电路正常工作？

时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。

2.问答题存储器的总体结构包括哪些？

存储单元阵列、译码器、输入/输出缓冲器、时钟和控制电路。

3.问答题 先进的双极晶体管结构的基本特征是什么？

自对准工艺、多晶硅发射极技术和深槽隔离技术。

4.问答题为什么正胶在显影时很容易被去掉？

因为正胶在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应。

5.问答题解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么？

采用多晶硅发射极结构，避免发射区离子注入对硅表面的损伤。

6.问答题N阱CMOS主要工艺步骤是什么？

1、底硅片的选择；
2、作n阱场区氧化；
3、作硅栅→形成源、漏区；
4、成金属互连线。

7.问答题缩小特征尺寸的目的是什么？

8.问答题摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是什么贡献？

特征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进。

9.问答题怎样实现四选一多路器？

应该用2位二进制变量组成4个控制信号，控制4个数据的选择。

10.问答题开发多晶硅技术解决了什么问题？

常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性，解决闩锁效应