问答题N阱CMOS主要工艺步骤是什么?
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题缩小特征尺寸的目的是什么?
3.问答题怎样实现四选一多路器?
4.问答题开发多晶硅技术解决了什么问题?
5.问答题版图设计规则可以用什么形式给出?
6.问答题在氧化层上形成所需要的图形的步骤是什么?
7.问答题形成SOI材料的主要技术是什么?
8.问答题在场区中,防止出现寄生沟道的措施是什么?
9.问答题图形的加工是通过什么工艺完成的?
10.问答题摩尔定律得以保持的途径是什么?
最新试题
倒装芯片的连接方式有()。
题型:多项选择题
关于电子封装基片的性质,说法错误的是()。
题型:单项选择题
在近十年由于材料和设备的发展,同时伴随电子产品功能的日益增强,()再次来到大众视线
题型:单项选择题
键合工艺失效,,键合点尾丝不一致,可能产生的原因有()。
题型:多项选择题
因为QFP封装的可靠性高,且其封装外形尺寸较小,寄生参数减小,故多用于高频电路、音频电路、微处理器、电源电路。
题型:判断题
为了获得好的性能,塑封料的电学性必须得到控制。
题型:判断题
键合工艺失效,焊盘产生弹坑的原因有()。
题型:多项选择题
去飞边毛刺工艺主要有介质去飞边毛刺、溶剂去飞边毛刺、水去飞边毛刺。
题型:判断题
下列属于BGAA形式的是()。
题型:多项选择题
使用3D封装技术可以实现40~50倍的成品尺寸和重量的减少。
题型:判断题