解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么？

问答题解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么？

采用多晶硅发射极结构，避免发射区离子注入对硅表面的损伤。

1.问答题N阱CMOS主要工艺步骤是什么？

1、底硅片的选择；
2、作n阱场区氧化；
3、作硅栅→形成源、漏区；
4、成金属互连线。

2.问答题缩小特征尺寸的目的是什么？

3.问答题摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是什么贡献？

特征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进。

4.问答题怎样实现四选一多路器？

应该用2位二进制变量组成4个控制信号，控制4个数据的选择。

5.问答题开发多晶硅技术解决了什么问题？

常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性，解决闩锁效应

6.问答题版图设计规则可以用什么形式给出？

微米规则和λ规则。

7.问答题在氧化层上形成所需要的图形的步骤是什么？

甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。

8.问答题形成SOI材料的主要技术是什么？

注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。

9.问答题在场区中，防止出现寄生沟道的措施是什么？

足够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版图。

10.问答题图形的加工是通过什么工艺完成的？

光刻和刻蚀