集成电路的加工过程的基本操作是什么？

问答题集成电路的加工过程的基本操作是什么？

形成某种材料的薄膜；在各种材料的薄膜上形成需要的图形；通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。

1.问答题PN结隔离SBC结构工艺流程是什么？

衬底材料制备；埋层的形成；N型外延层的形成；隔离区的形成；晶体管基区的形成；晶体管发射区和引线孔的形成；金属化的形成。

2.问答题常用掺杂方法是什么？

扩散和离子注入。

3.问答题随机存取存储器RAM的种类有哪些？

动态随机存取存储、器和静态随机存取存储器。

4.问答题制作硅栅具体步骤是什么？

生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD工艺淀积多晶硅、多晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。

5.问答题怎样才能使电路正常工作？

时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。

6.问答题存储器的总体结构包括哪些？

存储单元阵列、译码器、输入/输出缓冲器、时钟和控制电路。

7.问答题 先进的双极晶体管结构的基本特征是什么？

自对准工艺、多晶硅发射极技术和深槽隔离技术。

8.问答题为什么正胶在显影时很容易被去掉？

因为正胶在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应。

9.问答题解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么？

采用多晶硅发射极结构，避免发射区离子注入对硅表面的损伤。

10.问答题N阱CMOS主要工艺步骤是什么？

1、底硅片的选择；
2、作n阱场区氧化；
3、作硅栅→形成源、漏区；
4、成金属互连线。