互连、接触、栓塞
图案发生器方法、X射线制版、电子束扫描法
2单匝线圈和圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈
布线变复杂、信号线与地线间的寄生电容增加
GaAsSi
离子注入损伤,是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。