无机化学无机固体化学章节练习(2019.03.16)

问答题
从负离子的立方密堆积出发，（1）正离子填满所有四面体位置；（2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置；（3）正离子填满所有的八面体位置；（4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
答案：（1）T⁺、T^-占据，O空，反萤石结构（Na₂O）；<...
填空题
让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。
答案：正电极质量减少108mg，AgI不变，负电极质量增加108mg。
问答题
如果对磁性硫化铁矿进行化学分析，结构表明Fe/S之比小于1，那么可以把它的化学式写成Fe1-yS或写成FeS1+x。但是实际上两式的含意是迥然不同的，前者表示晶体中有铁空位存在，而后者则意味着有过量的硫离子。试设计一个实验方法，以确定磁性硫化铁到底是具有哪种结构。这一实验方法是什么？
答案：
密度法。若实测密度大于FeS的计算值，则为FeS_1+x；若小于计算值，则为Fe_1-yS。
问答题
预期下列少量杂质对NaCl晶体的电导率有何影响？简述原因。（1）KCl（2）NaBr（3）CaCl2（4）AgCl（5）Na2O
答案：（1）基本无影响；
（2）略有增大；
（3）增大；
（4）增大；
（5）减小；<...
问答题
MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？
答案：应采取正常尖晶石结构。这是因为八面体位置上的d³Cr³⁺离子具有配位场稳定化...
问答题
下列哪些晶体会显示出压电性？为什么？NaCl，CaF2，CsCl，ZnS（纤锌矿），NiAs，TiO2（金红石）
答案：ZnS和NiAs可能有压电性，因为其晶体结构中无对称中心。而CaF₂、NaCl、CsCl和TiO<...
问答题
比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。（1）掺0.1mg/kg的As（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al（4）掺1mg/kg的Al
答案：（3）<（2）<（1）<（4）
问答题
从负离子的六方密堆积出发，（1）正离子填满一半的四面体位置；（2）正离子填满所有的八面体位置；（3）正离子填满八面体结构的交替层。三种情况各产生什么结构类型？
答案：（1）T⁺（或T^-）占据，O和T^-（或T^+<...
填空题
VO（化学计量为1：1）的密度测得值和理论值分别为5.92g·cm-3和6.49g·cm-3，证明VO晶体中存在的缺陷属于（）。
答案：阳离子和阴离子部位上的空位缺陷(Schottky缺陷)
填空题
ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
答案：n；p

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无机化学无机固体化学章节练习(2019.03.16)

从负离子的立方密堆积出发，（1）正离子填满所有四面体位置；（2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置；（3）正离子填满所有的八面体位置；（4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。

让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。

预期下列少量杂质对NaCl晶体的电导率有何影响？简述原因。（1）KCl（2）NaBr（3）CaCl2（4）AgCl（5）Na2O

MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？

下列哪些晶体会显示出压电性？为什么？NaCl，CaF2，CsCl，ZnS（纤锌矿），NiAs，TiO2（金红石）

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。（1）掺0.1mg/kg的As（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al（4）掺1mg/kg的Al

从负离子的六方密堆积出发，（1）正离子填满一半的四面体位置；（2）正离子填满所有的八面体位置；（3）正离子填满八面体结构的交替层。三种情况各产生什么结构类型？

VO（化学计量为1：1）的密度测得值和理论值分别为5.92g·cm-3和6.49g·cm-3，证明VO晶体中存在的缺陷属于（）。

ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

无机化学无机固体化学章节练习(2019.03.16)

从负离子的立方密堆积出发，（1）正离子填满所有四面体位置；（2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置；（3）正离子填满所有的八面体位置；（4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。

让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。

预期下列少量杂质对NaCl晶体的电导率有何影响？简述原因。 （1）KCl（2）NaBr（3）CaCl2（4）AgCl（5）Na2O

MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？

下列哪些晶体会显示出压电性？为什么？NaCl，CaF2，CsCl，ZnS（纤锌矿），NiAs，TiO2（金红石）

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。（1）掺0.1mg/kg的As（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al（4）掺1mg/kg的Al

从负离子的六方密堆积出发，（1）正离子填满一半的四面体位置；（2）正离子填满所有的八面体位置；（3）正离子填满八面体结构的交替层。三种情况各产生什么结构类型？

VO（化学计量为1：1）的密度测得值和理论值分别为5.92g·cm-3和6.49g·cm-3，证明VO晶体中存在的缺陷属于（）。

ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

预期下列少量杂质对NaCl晶体的电导率有何影响？简述原因。（1）KCl（2）NaBr（3）CaCl2（4）AgCl（5）Na2O