集成电路工艺原理章节练习(2019.05.03)

填空题
制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是（）、（）和（）。
答案：电阻薄膜层光刻；高层绝缘层光刻；互连金属层光刻
问答题
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
答案：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的...
填空题
单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
答案：CZ法；区熔法；硅锭
判断题
阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
答案：错误
判断题
对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
答案：正确
判断题
LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
答案：正确
判断题
与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
答案：正确
名词解释
射程R
答案：
离子从进入靶到停止为止走过的总距离。
判断题
传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。
答案：错误
问答题
简述CSP的封装技术？
答案：所谓CSP，即芯片尺寸封装。CSP是在BGA基础上发展起来的，是接近LSI芯片尺寸的封装产品。这种产品具有以下几个特点：...