20世纪上半叶对半导体产业量展做出贡献的4种不同产业主要是（）。

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

半导体工艺技术中，器件互连材料通常包括（）等。

集成电容主要有几种结构？

试用电导率为102/（Ω·cm），厚1μm的材料设计1kΩ的电阻，设电阻宽1μm，求其长。