BiCMOS技术就是将（）和（）的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。

把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作（）。生长后的单晶硅被称为（）。

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的（）材料等。

从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要经过（）等步骤。

由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，画出Vx从一个大的正值下降时Ix的草图。

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。