最新试题
为提高CMOS集成电路的抗自锁能力,可在版图设计上采取哪些措施?
题型:问答题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
题型:问答题
编写DRC版图验证文件的主要依据是什么?
题型:问答题
设计一个CMOS差分放大器电路,写出其对应的SPICE描述语句并作差模电流-电压特性分析。
题型:问答题
在晶体材料中,对于长程有序的原子模式最基本的实体就是()。
题型:单项选择题
根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
题型:问答题
目前集成电路版图设计的主流工具有哪些?
题型:问答题
硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
题型:多项选择题
半导体工艺技术中,器件互连材料通常包括()等。
题型:多项选择题
规定版图几何设计规则的意义是什么?
题型:问答题