版图设计的基本前提是什么？

什么是MOS器件的体效应？

规定版图几何设计规则的意义是什么？

在图中，若所有的晶体管都工作在饱和区，求M4的漏电流。

为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

从设计的观点出发，版图设计规则应包括哪些部分？

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

根据图，给出M2管的漏极电流表达式。

由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。