半导体芯片制造工章节练习(2019.05.04)

来源：考试资料网

1 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

2.问答题一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

3 金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。

4.问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

参考答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个...

5.判断题位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）

6.问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。

7.填空题微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。

8.问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？

参考答案：非对称性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加，即x＜R...

9.填空题外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

参考答案：化学气相；液相；原子束外延

10.判断题液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）