下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
最新试题
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？
描述RF溅射系统。
例举离子注入设备的5个主要子系统。
例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
什么是掺杂？例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型？
描述化学机械平坦化工艺。
解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
