例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。

定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？

描述RF溅射系统。

干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

例举离子注入设备的5个主要子系统。

什么是结深？

定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。

什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？